11 février 2025

Les USA mettent 1 milliard de dollars pour concurrencer ASML en EUV

Les États-Unis investissent près d’un milliard de dollars (825 millions) dans un centre de recherche pour le développement de la technologie de lithographie EUV (ultraviolet extrême) de prochaine génération, visant à rivaliser avec ASML, le leader néerlandais de la technologie de lithographie des semi-conducteurs. Ce centre, qui sera basé au complexe Albany NanoTech et financé dans le cadre du programme CHIPS for America, devrait être opérationnel en 2025 et recevra des financements supplémentaires de partenaires industriels.

Le centre, en collaboration avec la société américaine Applied Materials, travaillera sur une lithographie EUV avancée pour la fabrication de semi-conducteurs en dessous de 7 nanomètres (nm), un niveau essentiel pour des composants plus petits et puissants. La technologie EUV, déjà fournie par ASML à des géants comme Intel, est cruciale pour la production de puces plus performantes, bien que certains acteurs comme TSMC demeurent prudents quant à son adoption massive.

Le gouvernement américain considère cet investissement stratégique pour renforcer sa position dans les semi-conducteurs, un secteur critique pour l’économie et la sécurité nationale. L’accès à l’infrastructure EUV NA (haute ouverture numérique) commencera en 2024 pour les membres du National Semiconductor Technology Center (NTSC) et s’étendra à l’EUV NA élevée d’ici 2026. Par ailleurs, l’initiative devrait favoriser la création d’un écosystème national autour de la main-d’œuvre et des technologies de pointe, dans un contexte de compétitivité mondiale accrue.

NY Creates, une organisation ayant investi plus de 25 milliards de dollars dans la R&D des semi-conducteurs, gérera le centre d’Albany. Selon Laurie Locascio, sous-secrétaire d’État au commerce, cette initiative renforcera la collaboration public-privé pour accélérer les innovations et réduire les coûts de développement.

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