par Privée d’accès aux équipements de pointe comme ceux de Nvidia et ASML, la Chine redouble d’efforts pour développer ses propres technologies, notamment à travers un brevet prometteur de SMEE dans le domaine de la lithographie EUV.
Pour éviter d’être dépassée dans le domaine de l’intelligence artificielle, la Chine, désormais privée d’accès aux cartes graphiques les plus puissantes de Nvidia, a choisi de concentrer ses investissements dans les semi-conducteurs pour développer ses propres équipements.
D’après le South China Morning Post du 10 septembre, l’équipementier chinois Shanghai Micro Electronics Equipment (SMEE) a déposé en 2023 un brevet pour un système de lithographie par rayonnement ultraviolet extrême (EUV), actuellement en cours d’examen par l’Administration nationale de la propriété intellectuelle de Chine. Cette technologie, indispensable pour la gravure de puces à moins de 7 nm, est actuellement maîtrisée par l’entreprise néerlandaise ASML, qui n’a jamais obtenu l’autorisation d’exporter ses équipements vers la Chine.
Percée technologique majeure pour la Chine
Ce brevet pourrait représenter une percée technologique majeure pour la Chine, lui permettant de contourner les restrictions sévères imposées par les États-Unis et leurs alliés sur les puces avancées et les équipements de production.
Actuellement, 99 % des machines de lithographie utilisées en Chine sont importées de fabricants étrangers comme ASML, Canon et Nikon. Cependant, les restrictions d’exportation imposées par les Pays-Bas, le Japon et les États-Unis compliquent l’accès de la Chine à ces technologies. Malgré cela, en 2023, SMIC, principal fabricant de puces chinois, a réussi à produire à grande échelle un processeur mobile en 7 nm grâce à des machines DUV.
SMEE, active depuis plus de 20 ans, a également réalisé un progrès en décembre 2023 avec le lancement d’un système de lithographie par ultraviolets profonds (DUV), capable de graver des composants en 28 nm, bien au-delà des performances des machines EUV, qui permettent d’atteindre les 7 nm.
