par Confrontée à une pression croissante des sanctions internationales, particulièrement dans le domaine technologique, la Russie intensifie ses efforts pour établir une industrie de semi-conducteurs autonome. Récemment, Moscou a annoncé une avancée significative en maîtrisant la technique de gravure à 350 nanomètres (nm). Bien que cette finesse de gravure puisse être considérée comme dépassée au niveau mondial, où les leaders comme TSMC produisent déjà en 3 nm, elle représente une étape stratégique cruciale pour un pays qui a longtemps dépendu des importations pour ses besoins en semi-conducteurs, composants essentiels de l’électronique moderne.
Les sanctions, en limitant l’accès de la Russie aux technologies et aux chaînes d’approvisionnement internationales, ont créé un impératif de développer une capacité de production locale. Cette initiative vise à réduire sa dépendance technologique et à assurer un approvisionnement continu pour ses propres besoins. La maîtrise de la gravure en 350 nm, bien qu’un point de départ, symbolise la volonté du pays de relancer sa production locale et de poser les fondations d’une future autonomie dans le secteur stratégique des semi-conducteurs. La question demeure : cette avancée initiale marquera-t-elle le début d’une véritable autonomie dans la production de ces composants vitaux pour l’économie numérique ?
Confrontée à un régime de sanctions internationales particulièrement sévère, notamment dans le secteur technologique, la Russie est engagée dans une course pour développer une industrie de semi-conducteurs entièrement nationale. Le contexte est d’autant plus contraignant que même les entreprises tierces collaborant avec des entités russes jugées « problématiques » s’exposent à des sanctions. Dans ce paysage complexe, la Russie vient d’annoncer une avancée significative en franchissant le seuil de la gravure en 350 nanomètres (nm).
Conception versus production: un enjeu industriel majeur
Il est crucial de distinguer la conception de puces informatiques de la maîtrise intégrale de leur production. Si la Russie possède déjà des compétences en conception, à travers des processeurs comme la gamme Baikal-S, leur fabrication est actuellement sous-traitée à l’étranger. L’ambition actuelle est de développer les équipements et les procédés nécessaires pour graver ses propres puces sur des wafers de silicium. C’est dans ce cadre que le Zelenograd Nanotechnology Center, en collaboration avec l’entreprise biélorusse Planar, a annoncé une percée notable.
Les efforts conjoints ont permis de maîtriser la technique de lithographie -le processus de gravure des circuits sur un wafer de silicium- à une finesse de 350 nm en utilisant un système laser.
Le processus commence par l’application d’une fine couche de résine photosensible sur la surface du wafer de silicium. Ensuite, un faisceau laser est projeté à travers un photomask – un pochoir de haute précision contenant le motif du circuit – afin d’exposer sélectivement certaines zones de la résine. Cette exposition lumineuse provoque une réaction chimique dans les zones ciblées. Enfin, un traitement chimique permet d’éliminer les parties de résine exposées ou non exposées, selon le type de résine utilisé, dévoilant ainsi le motif du circuit sur le wafer.
Un retard technologique mais un signal fort
Si certains observateurs peuvent considérer la gravure en 350 nm comme une technologie dépassée, il s’agit néanmoins d’une avancée majeure pour un pays dont l’industrie n’était pas historiquement orientée vers la production de semi-conducteurs. Pour mettre en perspective, la technologie 350 nm était couramment utilisée il y a environ trente ans, notamment pour la fabrication des processeurs Pentium II d’Intel.
Cependant, il est essentiel de souligner l’écart technologique considérable avec les leaders mondiaux. TSMC -Taiwan Semiconductor Manufacturing Company-, le plus grand fondeur de semi-conducteurs au monde, est actuellement capable de produire des puces avec une finesse de gravure de 3 nanomètres (nm) et poursuit activement la recherche et le développement pour atteindre le 2 nm. La réduction de la taille des transistors -mesurée en nanomètres- permet d’intégrer davantage de composants sur une même puce, améliorant ainsi les performances, la consommation énergétique ainsi que le coût.
Objectif 130 nm : une ambition mesurée mais déterminante
La Chine, un autre acteur majeur dans le domaine, progresse également rapidement. SMIC -Semiconductor Manufacturing International Corporation-, le principal fondeur chinois, devrait achever le développement de sa technologie de gravure en 5 nm cette année.
Quant à la Russie, elle affiche des ambitions claires pour l’avenir, visant à atteindre une finesse de gravure de 130 nm d’ici 2026. Ce prochain objectif représente une avancée significative par rapport aux 350 nm, mais reste encore loin des technologies de pointe actuelles.
La maîtrise de la gravure en 350 nm représente une étape importante pour la Russie dans sa quête d’autonomie technologique dans le domaine des semi-conducteurs. Cependant, le pays devra surmonter des défis considérables et investir massivement en recherche et développement pour combler l’écart avec les leaders mondiaux et atteindre ses objectifs futurs.
Un facteur pouvant jouer en faveur de la Russie dans sa quête d’autonomie technologique est son héritage d’excellence en mathématiques. Depuis l’époque soviétique, la Russie possède certaines des meilleures écoles de mathématiques au monde, formant des scientifiques et ingénieurs de haut niveau. Cette tradition académique, combinée à un nouvel élan vers l’innovation, pourrait permettre à la Russie de développer des solutions technologiques alternatives et de surmonter certains obstacles liés aux sanctions.
L’évolution de cette industrie en Russie sera un dossier à suivre de près dans les prochaines années. Affaire à suivre.
